据国外媒体报道,三星电子计划在年底完成的P3晶圆厂建设将推迟到明年。
据知情人士透露,外媒报道称,三星电子P3晶圆厂的竣工时间被推迟。
知情人士透露,三星电子10月底开始建设晶圆厂的洁净室,NAND闪存生产线的建设推迟了一个月。
延期后,三星电子NAND闪存生产线的洁净室预计在明年第一季度完工。
知情人士还透露,NAND闪存生产线建设推迟了一个月,也影响了fab其他阶段的建设,也将相应推迟。
三星P3晶圆厂是他们迄今为止建造的最大的晶圆厂,于2020年年中开工建设,占地70万平方米。
三星电子P3晶圆厂的竣工将推迟到明年,这是一个混合晶圆厂,既生产存储芯片,也生产逻辑芯片。
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