2nm半导体工艺迎来新突破，只需一个微波炉

最近，康奈尔大学的科学家利用改进的家用微波炉突破了2纳米半导体工艺生产的主要障碍这篇论文发表在《应用物理快报》上

为了保持半导体技术的不断缩小，硅必须掺杂越来越高的磷浓度，以促进精确和稳定的电流传输目前，伴随着工业上3nm器件的大规模生产，传统的退火方法仍然有效但伴随着精度的进一步提高，需要保证磷浓度高于其在硅中的平衡溶解度除了达到更高的浓度水平，一致性对于制造功能性半导体材料也是至关重要的

TSMC先前推测，微波可用于退火过程中，以促进磷掺杂浓度的增加但以前的微波加热源往往会产生驻波，不利于加热的均匀性简单来说，之前的微波退火设备会对内容物加热不均匀

TSMC支持康乃尔大学的科学家进行微波退火研究本周早些时候，康奈尔大学发表了一篇研究论文先进的微波退火方法已经成功克服了高稳定掺杂高于溶解度的基本挑战

这篇论文的题目是通过微波退火有效且稳定地激活掺杂磷超过其溶解度极限的纳米片硅这项技术适用于最新的纳米芯片晶体管技术，TSMC已经表示将使用2纳米芯片生产环栅场效应晶体管

这项研究将继续进行，并已获得进一步的资金。