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传台积电计划在美国建第二座新厂拟切入3纳米制程

来源:C114通信网2022-08-20 19:19:06  阅读量:19795   

TSMC最近宣布,将评估在美国建设第二家晶圆厂的投资,并计划切入3 nm工艺建设时间大概在2年后对此,TSMC在8月19日表示,不会回应市场传言

此前,TSMC位于美国亚利桑那州的5 nm新工厂已于7月底投产预计2024年第一期量产,第一期月产量2万片

可是,由于TSMC亚利桑那州工厂占地约445公顷,土地面积广阔,此前曾多次报道TSMC将扩大在亚利桑那州的投资计划,预计将建设6座晶圆厂。

TSMC总裁魏哲佳去年也表示,TSMC已经在亚利桑那州获得了大片土地,以保持其灵活性,并有可能进一步扩张但首要任务是让一期工厂成功量产,然后根据运营效率,成本效益,客户需求决定下一步计划

根据消息显示,TSMC的3nm工艺仍将采用FinFET晶体管的结构,而三星的3nm节点则采用GAA晶体管架构三星甚至领先于TSMC,将3纳米工艺技术转化为大规模生产

消息人士指出,AMD,苹果,博通,英特尔,联发科,英伟达和高通都向TSMC订购了3纳米芯片可是,三星的3nm GAA工艺尚未吸引各大芯片供应商的订单

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